Intel ya ha procesado un millón de obleas High-NA, y sus rivales acaban de adoptar su estándar
Intel dice haber procesado más de un millón de obleas High-NA EUV, alrededor de tres cuartas partes del total mundial, mientras TSMC y Samsung se suman al estándar de máscaras que la compañía impulsó.

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En la conferencia SPIE Photomask Technology and EUV Lithography de Monterey, California, Intel Foundry y ASML usaron el mismo escenario para hacer una afirmación inusualmente concreta: Intel ya ha procesado más de un millón de obleas de 300 milímetros en los escáneres High-NA EUV de ASML. Según los propios cálculos de ASML, eso es aproximadamente tres cuartas partes de todas las obleas High-NA que la industria entera ha expuesto jamás.
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La cifra es acumulativa y deliberadamente amplia. Incluye los trabajos de investigación y desarrollo de Intel, las tiradas de certificación de herramientas y la producción en volumen, una distinción que el anuncio conjunto no ocultó. Solo algunas de esas obleas son producto comercial: capas seleccionadas en un subconjunto de procesadores Intel Core Ultra Serie 3, con nombre en clave Panther Lake, fabricados con el proceso 18A de la compañía. Aun así, el hito lleva la EUV High-NA de ser una curiosidad de laboratorio a algo más cercano a un caballo de batalla de fábrica, y llegó justo cuando los dos rivales más cercanos de Intel se alinearon públicamente con la dirección que la compañía lleva impulsando más de tres años.
TechRadar informó del anuncio junto a las propias cifras de ASML de la conferencia SEMICON Taiwan a principios de septiembre: los sistemas High-NA de la serie EXE de la compañía habían expuesto colectivamente más de 1,35 millones de obleas, con diez sistemas en funcionamiento entre cuatro clientes y otros tres en proceso de envío o instalación. La cuota de Intel de ese total equivale a alrededor del 74 por ciento.
Una máquina que cuesta como una fábrica pequeña
La EUV High-NA es el siguiente paso más allá de la litografía EUV estándar que ha definido la fabricación de chips de vanguardia durante una década. La «alta apertura numérica» se refiere a una abertura mayor que capta más luz, lo que permite a un escáner imprimir rasgos más finos en una sola pasada en lugar de dividir una capa en múltiples exposiciones. Esa es la promesa, y conlleva un precio: las máquinas cuestan hasta 350 millones de dólares cada una, y el ecosistema que las rodea (máscaras, resinas, metrología y equipos de manipulación) tiene que reconstruirse para la óptica más grande.
La flota de Intel es pequeña y especializada. La compañía opera dos sistemas de investigación ASML Twinscan EXE:5000 y al menos un escáner de producción EXE:5200B, que fue el primer cliente en instalar y certificar en 2025. El EXE:5200B ofrece un rendimiento de 175 obleas por hora en modo de exposición única y una precisión de superposición de 0,7 nanómetros, además de una disponibilidad mejor que la de la herramienta original. El recuento acumulado de obleas de Intel, según TechTimes, ha pasado de unas 30.000 obleas a finales de febrero de 2025 a más de un millón en unos 19 meses.
Ese ascenso es la sustancia que respalda una afirmación que Intel ha hecho repetidamente y, hasta ahora, con cierta soledad: que es la única compañía que usa litografía High-NA en un producto en venta. La nota conjunta con ASML señala que la superposición, el rendimiento y la disponibilidad cumplían las expectativas de Intel Foundry, y que los productos 18A que usan High-NA en capas seleccionadas igualaron o superaron el rendimiento logrado con la plataforma NXE más antigua de ASML. Para una compañía a la que durante buena parte de los últimos años se dio por descartada en la carrera de la IA, el liderazgo en litografía es una de las pocas ventajas que puede señalar y que los competidores no pueden igualar rápidamente.
Qué significa y qué no significa «un millón de obleas»
El total de Intel combina deliberadamente las tiradas de I+D y certificación con la producción. Es una medida de la experiencia con la herramienta, no de chips enviados. Intel no desglosa cuántas obleas de Panther Lake usaron capas High-NA, y ASML tampoco, así que la cifra se lee mejor como una medida de madurez tecnológica que de volumen de fabricación.
El estándar de máscaras es el verdadero premio
La noticia más trascendente puede haber llegado un día antes. El 7 de septiembre, ASML y TSMC anunciaron conjuntamente una iniciativa sectorial para pasar el formato de fotomáscara del estándar actual de 6 pulgadas a un formato de 12 pulgadas (6×12) diseñado para la EUV High-NA. El plan apunta a una línea piloto de máscaras de 12 pulgadas para 2031 y a la plena preparación de la litografía High-NA para la producción de nodos avanzados en 2033.
Durante más de tres años, Intel había liderado esa campaña prácticamente en solitario entre los fabricantes de lógica de gran volumen, trabajando con ASML, proveedores de máscaras, vendedores de EDA y empresas de materiales para construir los estándares y la infraestructura que exigiría un formato de máscara mayor. La participación formal de TSMC cambia el cálculo. Como lo expresó The Herald Business, el fabricante por contrato dominante del mundo se ha comprometido ahora públicamente con el mismo destino: una señal de que el formato de 12 pulgadas es necesario para explotar plenamente la High-NA en las capas más densas de la era de la IA, una conclusión a la que Intel llegó años antes.
Una máscara más grande suena a detalle incremental. No lo es. Una fotomáscara es la plantilla que graba una capa de circuitos sobre una oblea; el tamaño de esa plantilla determina cuánto del diseño de un chip puede imprimirse de una vez. El estándar actual de 6×6 pulgadas obliga a los fabricantes de chips a «coser» múltiples exposiciones para cubrir un campo completo, un rodeo que añade complejidad y riesgo de rendimiento. Pasar a 6×12 eliminaría buena parte de ese cosido, pero exige reemplazar o modificar sustancialmente los sustratos de máscara, las herramientas de deposición y grabado, los equipos de inspección y metrología, las pellículas, los escritores de máscaras, los sistemas de limpieza y la robótica de manipulación en toda la cadena de suministro. La hoja de ruta actual de ASML para sus escáneres EXE hasta 2033 está diseñada en torno al formato existente, y ni ASML ni Intel han confirmado públicamente que las herramientas ya enviadas puedan adaptarse.
Por eso importa la firma de TSMC. Los estándares solo se construyen si los mayores compradores los exigen, y TSMC es el mayor comprador. La iniciativa fija de facto un plazo para que toda la industria de equipos converja, con 2033 como la fecha más temprana en que el estándar podría empezar a remodelar la economía de la producción.
Tres hojas de ruta, una dirección
Los anuncios dibujaron lo distinto que están abordando la tecnología los tres grandes fabricantes. Intel es el que más ha avanzado y ya usa High-NA en producción. TSMC presentó planes concretos para aplicar High-NA a la producción en masa de procesos avanzados a partir de 2030, un ligero retroceso respecto al lenguaje anterior que apuntaba a 2029, y coherente con su creencia declarada de que el multipatrón con las herramientas EUV de 0,33 NA existentes puede sostener su hoja de ruta hasta sus nodos A13 y A12 alrededor de 2029. Samsung, por su parte, dijo que aspira a ser el primero de la industria en aplicar High-NA a la producción en masa de DRAM avanzada, con 2028 como objetivo y la generación 0a, por debajo de los 10 nanómetros, como candidata probable; SK hynix dijo a Reuters que está evaluando su participación en el consorcio de máscaras de 12 pulgadas y también apunta a 2028 para la High-NA en DRAM.
La convergencia importa más allá de las bravatas. La High-NA y el formato de máscara mayor son, en efecto, el siguiente foso defensivo alrededor de la fabricación avanzada de chips, y llegan justo cuando China está volcando recursos en construir su propia capacidad de EUV. El bando no chino (ASML, Intel, TSMC y Samsung) define ahora conjuntamente los estándares y la infraestructura de la generación posterior a la EUV actual, lo que sitúa la frontera varios años más lejos del alcance de cualquiera que aún intente dominar el paso anterior.
La economía de llegar antes
El valor de la ventaja inicial de Intel se ve más fácilmente en lo que cuesta la alternativa. La EUV estándar ha sostenido a la industria desde mediados de la década de 2010, pero llevarla a rasgos cada vez más pequeños exige multipatrón: imprimir la misma capa en varias pasadas para lograr la resolución que una sola exposición High-NA puede conseguir. Cada pasada adicional añade pasos de proceso, eleva el riesgo de defectos, alarga el tiempo de ciclo y consume más de la limitada capacidad de la fábrica. La razón de que solo Intel se haya comprometido con la High-NA en volumen, mientras TSMC espera hasta 2030, es que las herramientas son caras y el ecosistema que las rodea es inmaduro. La razón de que Intel esté dispuesta a pagar ese precio es que intenta adelantar en lugar de igualar, una estrategia que solo funciona si la ventaja técnica se convierte en rendimiento de fabricación antes de que lleguen los competidores.
Esa conversión no está garantizada. Conseguir que un escáner funcione de forma fiable es un logro distinto de conseguir que un proceso rinda a tasas comerciales, y la hoja de ruta de fabricación de Intel ya se ha retrasado antes. La cifra del millón de obleas dice que Intel ha acumulado más experiencia operativa con la herramienta que nadie; aún no dice que esa experiencia haya producido una ventaja de costes. Los próximos trimestres (a medida que Panther Lake y los posteriores productos 18A se aceleren) mostrarán si el liderazgo es real en el único lugar donde cuenta, en el balance de Intel Foundry.
La iniciativa del formato de máscara eleva aún más las apuestas. Si la industria pasa a las máscaras de 12 pulgadas a principios de la década de 2030, la transición será cara para todos, y las compañías que ayudaron a redactar el estándar estarán mejor posicionadas para absorberla. Intel pasó tres años defendiendo el formato mayor con poca compañía. La decisión de TSMC de sumarse no le entrega el mercado a Intel, pero sí valida la apuesta, y significa que la próxima generación de litografía se construirá en torno a un estándar que Intel ayudó a definir en lugar de uno impuesto a ella.
El coste de ser el primero
Nada de esto hace cómoda la posición más amplia de Intel. Intel Foundry registró 5.760 millones de dólares de ingresos en el segundo trimestre de 2026, un 31 por ciento más interanual, pero aún soportó una pérdida operativa de 2.100 millones de dólares, y su consejero delegado, Lip-Bu Tan, sigue intentando captar clientes externos de lógica a gran escala. La directora financiera de AMD, Jean Hu, aprovechó una conferencia de Citigroup a principios de septiembre para decir que AMD espera mantener a TSMC como «nuestro proveedor principal en el lado de las obleas», cerrando una oportunidad de fundición que Intel esperaba disputar. Las acciones de Intel se han disparado no obstante más de un 150 por ciento este año, impulsadas por las decisiones de Nvidia y del Gobierno estadounidense de tomar participaciones en la compañía, un recordatorio de que el valor estratégico de Intel para Washington se apoya en parte justo en este tipo de capacidad de fabricación.
El hito de la High-NA, entonces, se entiende mejor como una evidencia que como un marcador. Demuestra que Intel puede operar la herramienta de litografía más avanzada del mundo a escala significativa, que la herramienta rinde según lo prometido y que los actores dominantes de la industria han aceptado el argumento de Intel sobre el próximo estándar de máscaras. Que eso se traduzca en un negocio de fundición rentable es una cuestión aparte, y que depende menos de la física que de los clientes. Pero para una compañía cuyas ambiciones de fábrica fueron ampliamente puestas en duda, ser la única con un millón de obleas de experiencia en High-NA (y que sus rivales adopten el estándar que impulsó) es un argumento técnico tan sólido como Intel podría haber presentado este trimestre.
Imagen destacada: una oblea de procesador Intel Core de cuarta generación de Intel in Deutschland, vía Wikimedia Commons, CC BY-SA 2.0.








